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参数资料
| 型号： | BAS116,235 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 954-BAS116,235-CHP |
      2003 Dec 12 2 NXP Semiconductors Product data sheet Low-leakage diode BAS116 FEATURES ? Plastic SMD package ? Low leakage current: typ. 3 pA ? Switching time: typ. 0.8 μs ? Continuous reverse voltage: max. 75 V ? Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V ? Repetitive peak forward current: max. 500 mA. APPLICATION ? Low leakage current applications in surface mounted circuits. DESCRIPTION Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a small SOT23 plastic SMD package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 anode 2 not connected 3 cathode lumns 21 3 Top view MAM106 2 n.c. 1 3 Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol. Marking code: JVp = made in Hong Kong; JVt = made in Malaysia; JVW = Made in China. ORDERING INFORMATION LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Note 1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board. TYPE NUMBER PACKAGE NAME DESCRIPTION VERSION BAS116 ? plastic surface mounted package; 3 leads SOT23 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VRRM repetitive peak reverse voltage ? 85 V VR continuous reverse voltage ? 75 V IF continuous forward current see Fig.2; note 1 ? 215 mA IFRM repetitive peak forward current ? 500 mA IFSM non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 °C prior to surge; see Fig.4 tp = 1 μs ? 4 A tp = 1 ms ? 1 A tp = 1 s ? 0.5 A Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 1 ? 250 mW Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 150 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116-AU_A0_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116-AU_A0_10001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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