参数资料
型号: BAS116,235
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/8页
文件大小: 117K
描述: DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23
标准包装: 10,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 215mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5nA @ 75V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: TO-236AB
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 954-BAS116,235-CHP
2003 Dec 12 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage diode BAS116
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
?
0.9
V
IF
=
10
mA
?
1
V
IF
=
50
mA
?
1.1
V
IF
=
150
mA
?
1.25
V
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
75
V
0.003
5
nA
VR
=
75
V; Tj
=
150
°C
3
80
nA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
2
?
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to IR
=
10
mA;
RL
=
100
?; measured at IR
=
1
mA; see
Fig.7
0.8
3
μs
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-tp)
thermal resistance from junction to tie-point
330
K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
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参数描述
BAS116-7 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
BAS116-7-F 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
BAS116-AU 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
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