参数资料
型号: BAS216,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/9页
文件大小: 119K
描述: DIODE SW 75V 250MA HS SOD110
产品目录绘图: SOD-110 Pin Out
SOD-110 Circuit
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电容@ Vr, F: 1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-110
供应商设备封装: SOD2
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 568-1599-2
934025530115
BAS216 T/R
2002 May 28 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed switching diode BAS216
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
?
715
mV
IF
=
10
mA
?
855
mV
IF
=
50
mA
?
1
V
IF
=
150
mA
?
1.25
V
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
25
V
?
30
nA
VR
=
75
V
?
1
μA
VR
=
25
V; Tj
=
150
°C
?
30
μA
VR
=
75
V; Tj
=
150
°C
?
50
μA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
?
1.5
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?; measured
at IR
=
1
mA; see
Fig.7
?
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA;
tr
=
20
ns; see
Fig.8
?
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
200
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
315
K/W
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