参数资料
型号: BAS216,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/9页
文件大小: 119K
描述: DIODE SW 75V 250MA HS SOD110
产品目录绘图: SOD-110 Pin Out
SOD-110 Circuit
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电容@ Vr, F: 1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-110
供应商设备封装: SOD2
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 568-1599-2
934025530115
BAS216 T/R
2002 May 28 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed switching diode BAS216
GRAPHICAL DATA
0
0 100 200T ( C)amb
o
500
MSA570
250
Ptot
(mW)
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2 Maximum permissible total power
dissipation as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage300
0
021
VF
(V)
IF
(mA)
100
200
MBG382
(1) (3)(2)
(1) Tj
= 150
°C; typical values.
(2) Tj
= 25
°C; typical values.
(3) Tj
= 25
°C; maximum values.
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage.
2
handbook, full pagewidth10
MBG704
10
tp
(
μs)
1
IFSM
(A)
10?1
104
102
103
10
1
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj
= 25
°C prior to surge.
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