参数资料
型号: BAT760,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 1/9页
文件大小: 56K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 550mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 15V
电容@ Vr, F: 25pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 标准包装
其它名称: 568-6025-6
1. Product pro?le
1.1 General description
Planar medium power Schottky barrier single diode with an integrated guard ring for
stress protection, encapsulated in a SOD323 (SC-76) very small Surface-Mounted
Device SMD plastic package.
1.2 Features
n
Ultra high-speed switching
n
Very low forward voltage
n
Guard-ring protected
n
Very small SMD plastic package
1.3 Applications
n
Ultra high-speed switching
n
Voltage clamping
n
Protection circuits
1.4 Quick reference data
[1] Pulse test: tp
300
μs;
δ≤0.02.
BAT760
Medium power Schottky barrier single diode
Rev. 03 — 17 October 2008 Product data sheet
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VR
reverse voltage - - 20 V
IF
forward current - - 1 A
VF
forward voltage IF
=1A
[1]
- 480 550 mV
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PDF描述
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