参数资料
型号: BAT760,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 2/9页
文件大小: 56K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 550mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 15V
电容@ Vr, F: 25pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 标准包装
其它名称: 568-6025-6
BAT760_3
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 17 October 2008 2 of 9
NXP Semiconductors
BAT760
Medium power Schottky barrier single diode
2. Pinning information
[1] The marking bar indicates the cathode.
3. Ordering information
4. Marking
5. Limiting values
Table 2. Pinning
Pin
Description
Simpli?ed outline
Graphic symbol
1 cathode
[1]
2 anode
2
1
sym001
12
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BAT760 SC-76 plastic surface-mounted package; 2 leads SOD323
Table 4. Marking codes
Type number
Marking code
BAT760 A4
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
reverse voltage - 20 V
IF
forward current - 1 A
IFSMnon-repetitive peaktp= 8.3 ms;-5A
forward currenthalf-sine wave;
JEDEC method
Tj
junction temperature - 125
°C
Tamb
ambient temperature
?65 +125
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
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PDF描述
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BAT760F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 电流 - 平均整流(Io):1A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 15V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:10,000
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