参数资料
型号: BAT760,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/9页
文件大小: 56K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 550mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 15V
电容@ Vr, F: 25pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 标准包装
其它名称: 568-6025-6
BAT760_3
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 17 October 2008 3 of 9
NXP Semiconductors
BAT760
Medium power Schottky barrier single diode
6. Thermal characteristics
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for
cathode 10
×
10 mm2.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 40
×
40 mm2.
7. Characteristics
[1] Pulse test: tp
300
μs;
δ≤0.02.
Table 6. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
[1]
- - 220 K/W
[2]
- - 180 K/W
Table 7. Characteristics
Tamb
=25°C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
[1]
IF= 10 mA - 240 270 mV
IF= 100 mA - 300 350 mV
IF= 1 A - 480 550 mV
IR
reverse current
[1]
VR=5V - 5 10
μA
VR=8V - 7 20
μA
VR=15V - 10 50
μA
Cd
diode capacitance VR= 5 V; f = 1 MHz - 19 25 pF
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