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参数资料
| 型号： | BAT86,113 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 8pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AG，DO-34，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-34 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-5820-6 |
     NXP Semiconductors BAT86 Schottky barrier single diode BAT86 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 25 July 2012 3 / 8 7. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF = 0.1 mA; T amb = 25 °C - - 300 mV IF = 1 mA; T amb = 25 °C - - 380 mV IF = 10 mA; T amb = 25 °C - - 450 mV IF = 30 mA; T amb = 25 °C - - 600 mV VF forward voltage IF = 100 mA; T amb = 25 °C - - 900 mV IR reverse current VR = 40 V; T amb = 25 °C; pulsed; tp = 300 μs; δ = 0.02 - - 5 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; T amb = 25 °C; V R = 1 V - - 8 pF trr reverse recovery time IF = 10 mA; I R = 10 mA; R L = 100 Ω; IR(meas) = 1 mA; T amb = 25 °C - - 4 ns 1.2 0.8 0.4 0 VF (V) IF (mA) 103 102 10 1 10-1 mld357 (1) (2) (3) (1) (2) (3) (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values mgc686 105 IR 104 (nA) 103 102 10-1 0 10 1 50 V) 10 20 30 40 VR ( (1) (2) (3) (1) Tamb = 85 °C (2) Tamb = 25 °C (3) Tamb = ?40 °C Fig. 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BAV103 | DIODE 200V 200MA LL34 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAT86133 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODE 5A 50V DO-34 |
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| BAT867-RUSW99CU999AT199L999ZHX | 功能描述:WIRELESS LAN ACCESS 制造商:hirschmann 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
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