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参数资料
| 型号： | BAT86,113 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 8pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AG，DO-34，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-34 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-5820-6 |
     NXP Semiconductors BAT86 Schottky barrier single diode BAT86 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 25 July 2012 4 / 8 mgc687 0 0 50 12 Cd (pF) 4 8 10 20 30 40 VR (V) Tamb = 25 °C; f = 1 MHz Fig. 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values 00 50 100 150 200 250 50 100 150 IF(AV) (mA) Tamb (°C) mra540 FR4 PCB, standard footprint Fig. 4. Average forward current as a function of ambient temperature; derating curve 8. Test information trr (1) + IF t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR +IF ×RS RS = 50 Ω IF D.U.T. Ri = 50 Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 (1) IR = 1 mA Fig. 5. Reverse recovery time test circuit and waveforms |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAT86133 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODE 5A 50V DO-34 |
| BAT867-RUSW99AU999AT199L999ZHX | 功能描述:WIRELESS LAN ACCESS 制造商:hirschmann 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
| BAT867-RUSW99CU999AT199L999ZHX | 功能描述:WIRELESS LAN ACCESS 制造商:hirschmann 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
| BAT86S | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode |
| BAT86S_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode |
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