参数资料
| 型号： | BD3512MUV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO ADJ 3A 20QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，可调式 |
| 输出电压： | 0.65 V ~ 2.7 V |
| 输入电压： | 0.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.065V @ 1A |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 3A（最小） |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | VQFN020V4040 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
● Reference Data
Vo
50mV/div
Vo
50mV/div
Vo
50mV/div
Io
1A/div
3.0A
Io
1A/div
3.0A
Io
1A/div
3.0A
Io=0A → 3A/3 μ sec
T(10 μ sec/div)
Io=0A → 3A/3 μ sec
T(4 μ sec/div)
Io=0A → 3A/3 μ sec
T(4 μ sec/div)
Vo
50mV/div
Io
Fig.1 Transient Response
(0 → 3A)
Co=22 μ F, Cfb=1000pF
Vo
50mV/div
Io
Fig.2 Transient Response
(0 → 3A)
Co=100 μ F
Vo
50mV/div
Io
Fig.3 Transient Response
(0 → 3A)
Co=100 μ F, Cfb=1000pF
1A/div
3.0A
1A/div
3.0A
1A/div
3.0A
Io=3A → 0A/3 μ sec
T(40 μ sec/div)
Io=3A → 0A/3 μ sec
T(100 μ sec/div)
Io=3A → 0A/3 μ sec
T(100 μ sec/div)
Ven
2V/div
VNRCS
1V/div
Vo
500mV/div
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
Fig.4 Transient Response
(3 → 0A)
Co=22 μ F, Cfb=1000pF
T(100 μ sec/div)
Fig.7 Waveform at output start
VIN → VCC → Ven
Fig.10 Input sequence
Ven
2V/div
VNRCS
1V/div
Vo
500mV/div
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
Fig.5 Transient Response
(3 → 0A)
Co=100 μ F
T(2msec/div)
Fig.8 Waveform at output OFF
Ven → VCC → VIN
Fig.11 Input sequence
4/16
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
Fig.6 Transient Response
(3 → 0A)
Co=100 μ F, Cfb=1000pF
VCC → VIN → Ven
Fig.9 Input sequence
VCC → Ven → VIN
Fig.12 Input sequence
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BD3521FVM | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit |
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