参数资料
| 型号： | BD3522EFV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO ADJ 4A HTSSOP-B20 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，可调式 |
| 输出电压： | 0.65 V ~ 2.7 V |
| 输入电压： | 0.7 V ~ 5.5 V |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 4A（最小） |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-HTSSOP-B |
| 包装： | 带卷 (TR) |
● Reference Data
BD3522EFV
Vo
Vo
Vo
50mV/div
Io
2A/div
49mV
4.0A
50mV/div
Io
2A/div
59mV
4.0A
50mV/div
Io
2A/div
46mV
4.0A
Io=0A → 4A/4 μ sec
T(10 μ sec/div)
Io=0A → 4A/4 μ sec
T(10 μ sec/div)
Io=0A → 4A/4 μ sec
T(10 μ sec/div)
Fig.1 Transient Response
(0 → 4A)
Co=22 μ F, Cfb=1000pF
Fig.2 Transient Response
(0 → 4A)
Co=100 μ F
Fig.3 Transient Response
(0 → 4A)
Co=100 μ F, Cfb=1000pF
Vo 42mV
50mV/div
Io
Vo 41mV
50mV/div
Io
Vo
50mV/div
Io
41mV
2A/div
4.0A
2A/div
4.0A
2A/div
4.0A
Io=4A → 0A/4 μ sec
T(100 μ sec/div)
Io=4A → 0A/4 μ sec
T(100 μ sec/div)
Io=4A → 0A/4 μ sec
T(100 μ sec/div)
Ven
2V/div
VNRCS
2V/div
Vo
1V/div
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
Fig.4 Transient Response
(4 → 0A)
Co=22 μ F, Cfb=1000pF
T(20 μ sec/div)
Fig.7 Waveform at output start
VIN → VCC → Ven
Fig.10 Input sequence
Ven
2V/div
VNRCS
2V/div
Vo
1V/div
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
Fig.5 Transient Response
(4 → 0A)
Co=100 μ F
T(2msec/div)
Fig.8 Waveform at output OFF
Ven → VCC → VIN
Fig.11 Input sequence
6/20
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
VCC
5V/div
Ven
2V/div
VIN
2V/div
Vo
1V/div
Fig.6 Transient Response
(4 → 0A)
Co=100 μ F, Cfb=1000pF
VCC → VIN → Ven
Fig.9 Input sequence
VCC → Ven → VIN
Fig.12 Input sequence
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PDF描述 |
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| BD3523HFN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch FET Ultra LDOs for Desktop PCs |
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