参数资料
| 型号： | BD9011EKN-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 12/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BST PWM 36-HQFN |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 控制器 |
| 输出数： | 2 |
| 频率 - 最大： | 550kHz |
| 电源电压： | 3.9 V ~ 30 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 是 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 36-TQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1372 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BD9011EKN-E2DKR |
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（ 9 ） MOSFET selection
V CC
FET uses Nch MOS
V GSM1
V DS
I L
Vo
? V DS ＞ Vcc
? V GSM1 ＞ BOOT-SW interval voltage
? V GSM2 ＞ VREG5
? Allowable current ＞ voltage current + ripple current
V GSM2
V DS
※ Should be at least the over current protection value
※ Select a low ON-resistance MOSFET for highest efficiency
Fig-33
（ 10 ） Schottky barrier diode selection
V CC
? Reverse voltage V R ＞ Vcc
? Allowable current ＞ voltage current + ripple current
V R
Fig-34
Vo
※ Should be at least the over current protection value
※ Select a low forward voltage, fast recovery diode for highest
efficiency
? The shoot-through may happen when the input parasitic
capacitance of FET is extremely big or the Duty ratio is less
than or equal to 10%. Less than or equal to 1000pF input
parasitic capacitance is recommended. Please confirm
operation on the actual application since this character is
affected by PCB layout and components.
（ 11 ） Sequence function
● Circuit diagram
● Timing chart
When EN1 stays ”H” and EN2 returns to ”H”, DET1 is in
With EN1, 2 at ”H” level, when EN1 goes ”L”,
Vo1 turns OFF, but Vo2 output continues.
open state; thus SS2 is asserted, and Vo2 output starts.
If Vo2 is 76% of the voltage setting or higher, DET2 goes
open and SS1 is asserted, starting Vo1 output.
VCC VREG5
VREG5
EN1
EN2
Vo1
OUTH1 BOOT1 VCC BOOT2 OUTH2
SW1 SW2
OUTL1 OUTL2
Vo2
DET2
SS1
DGND1
FB1
COMP1
SS1
DET2
STB
EN1
DGND2
FB2
COMP2
SS2
DET1
EN2 GND
FB1
Vo1
DET1
SS2
0.61V
over 76%
FB2
Vo2
0.56V
under 70%
0.61V
over 76%
0.56V
over 70%
With EN1,2 at “H” level, if
A
With EN2 set ”L”, if Vo2
A
Same as “A” at left
Fig-35
12/29
Vo1 starts at 76% or more of
voltage setting, DET goes
open and SS1 is asserted,
starting Vo2 output.
goes below 70% the voltage
setting, DET2 shorts and SS1
is asserted, turning Vo1 OFF
Fig-36
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBC36DRTH-S13 | CONN EDGECARD 72POS .100 EXTEND |
| RBB60DHFD | CONN EDGECARD 120POS .050 SMD |
| LTC3803ES6#TRMPBF | IC REG CTRLR FLYBK PWM TSOT23-6 |
| RSC35DRXS | CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD |
| HBC30DRYN | CONN EDGECARD 60POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BD9011KV | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Dual Synchronous DC/DC converter controller |
| BD9011KV-E2 | 功能描述:DC/DC 开关控制器 Step Down; 2 Outputs RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
| BD9012KV | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Dual-output, high voltage, high-efficiency step-down switching controller |
| BD9012KV-E2 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Step Down; 2 Outputs RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| BD9013KV-E2 | 功能描述:DC/DC 开关控制器 Step Down; 2 Outputs RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
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