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参数资料
| 型号： | BDX54B |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率达林顿晶体管（功率达林顿晶体管） |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | BDX54B |
THERMAL DATA
Rthj-ca se
Rthj- amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
2.08
70
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase =25
oC unless otherwise specified)
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
ICBO
Collect or Cut-off
Current (IE =0)
for BDX53A
VCB =60 V
for BDX53B/ 54B
VCB =80 V
for BDX53C/ 54C
VCB =100V
0.2
mA
ICEO
Collect or Cut-off
Current (IB =0)
for BDX53A
VCB =30 V
for BDX53B/ 54B
VCB =40 V
for BDX53C/ 54C
VCB =50V
0.5
mA
IEBO
Emitt er Cut-off Current
(IC =0)
VEB =5 V
2
mA
VCEO(sus )
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB =0)
IC =100 mA
for BDX53A
for BDX53B/54B
for BDX53C/54C
60
80
100
V
VCE(sat)
Collector-emitter
Saturat ion Voltage
IC =3 A
IB =12 mA
2
V
VBE(s at)
Base-emitter
Saturat ion Voltage
IC =3 A
IB =12 mA
2.5
V
hFE
DC Current G ain
IC =3 A
VCE = 3 V
750
VF
Parallel-diode Forward
Voltage
IF =3 A
IF =8 A
1.8
2.5
V
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe Operating Area
Derating Curve
BDX53A/53B/53C-BDX54B/54C
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX54C | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| BDX54F | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| BF304-0PB-006B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
| BF304-0PB-130B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
| BF3127-1AG-120A | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, AQUA GREEN, 10.16 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BDX54B | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| BDX54BFI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BDX54BG | 功能描述:达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX54B-S | 功能描述:达林顿晶体管 80V 8A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX54BTU | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darlington 8A 80V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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