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参数资料
型号： BF1205C
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： 功率晶体管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1205C<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件页数： 10/23页
文件大小： 288K
代理商： BF1205C
BF1205C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 7 September 2011
10 of 23
NXP Semiconductors
BF1205C
Dual N-channel dual gate MOS-FET
8.1.2
Scattering parameters for amplifier a
Table 9.
V
DS(a)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(a)
= 19 mA; V
DS(b)
= 0 V; V
G-1S(b)
= 0 V; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
Magnitude
ratio
(deg)
ratio
50
0.992
3.91
3.07
100
0.990
7.76
3.06
200
0.982
15.42 3.04
300
0.971
22.99 3.01
400
0.956
30.52 2.96
500
0.938
37.83 2.90
600
0.917
45.14 2.83
700
0.893
52.31 2.76
800
0.867
59.47 2.69
900
0.838
66.23 2.60
1000
0.807
73.10 2.52
8.1.3
Noise data for amplifier a
Table 10.
V
DS(a)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(a)
= 19 mA; V
DS(b)
= 0 V; V
G-1S(b)
= 0 V; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
(dB)
ratio
400
1.3
0.718
800
1.4
0.677
V
DS(a)
= 5 V; V
G2-S(a)
= 4 V; V
DS(b)
= V
G1-S(b)
= 0 V; I
D(a)
= 19 mA.
Fig 16. Output admittance as a function of frequency; typical values.
001aaa567
b
os
, g
os
(mS)
1
10
10
2
10
1
f (MHz)
10
10
3
10
2
b
os
g
os
Scattering parameters for amplifier a
S
11
S
21
Magnitude
S
12
Magnitude
ratio
S
22
Magnitude
ratio
0.992
0.992
0.990
0.988
0.985
0.982
0.979
0.975
0.972
0.968
0.966
Angle
Angle
(deg)
175.56 0.0007
171.18 0.0017
162.42 0.0026
153.79 0.0037
145.22 0.0047
136.78 0.0055
128.46 0.0061
120.20 0.0065
111.98
103.90 0.0067
95.875 0.0065
Angle
(deg)
83.61
83.19
78.19
73.75
69.82
66.12
62.11
58.86
58.28
50.64
47.28
Angle
(deg)
1.47
2.93
5.84
8.71
11.59
14.48
17.31
20.14
22.98
25.85
28.74
0.0068
Noise data for amplifier a
F
min
opt
r
n
(
)
(deg)
16.06
37.59
0.683
0.681
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BF1205C,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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