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参数资料
| 型号： | BF1208D |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1208D<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 19/22页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | BF1208D |
BF1208D_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 May 2007
19 of 22
NXP Semiconductors
BF1208D
Dual N-channel dual gate MOSFET
10. Package outline
Fig 35. Package outline SOT666
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-08
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.27
0.17
0.18
0.08
1.7
1.5
1.3
1.1
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
y
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.3
0.1
SOT666
bp
pin 1 index
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
A
S
0
1
2 mm
scale
A
0.6
0.5
c
X
1
2
3
4
5
6
Plastic surface-mounted package; 6 leads
SOT666
Y S
w
M
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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| BF1210 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1208D T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1208D,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF120F | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:BF120F RELAY A |
| BF120H | 制造商:Siemens 功能描述: |
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