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参数资料
| 型号： | BF1208D |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1208D<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 20/22页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | BF1208D |
BF1208D_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 May 2007
20 of 22
NXP Semiconductors
BF1208D
Dual N-channel dual gate MOSFET
11. Abbreviations
12. Revision history
Table 14.
Acronym
AGC
DC
MOSFET
UHF
VHF
Abbreviations
Description
Automatic Gain Control
Direct Current
Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
Ultra High Frequency
Very High Frequency
Table 15.
Document ID
BF1208D_1
Revision history
Release date
20070516
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1210 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1210 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1208D T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1208D,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF120F | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:BF120F RELAY A |
| BF120H | 制造商:Siemens 功能描述: |
| BF120M | 制造商:Siemens 功能描述: |
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