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参数资料
| 型号： | BF1214 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1214<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1214/L<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-fr |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | BF1214 |
BF1214_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2007
14 of 18
NXP Semiconductors
BF1214
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.3.1
Scattering parameters for amplifier B
8.3.2
Noise data for amplifier B
9.
Test information
Table 11.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 18 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
40
0.9836
2.92
3.06
100
0.9890
7.68
3.06
200
0.9869
15.32
3.03
300
0.9801
23.00
2.99
400
0.9704
30.69
2.94
500
0.9595
38.13
2.88
600
0.9458
45.45
2.81
700
0.9300
52.67
2.73
800
0.9132
59.82
2.65
900
0.8959
66.74
2.56
1000
0.8775
73.43
2.47
Scattering parameters for amplifier B
s
12
Magnitude
(ratio)
0.0005
0.0012
0.0023
0.0034
0.0045
0.0056
0.0066
0.0075
0.0085
0.0093
0.0101
s
22
Magnitude
(ratio)
0.9897
0.9920
0.9914
0.9902
0.9889
0.9869
0.9845
0.9818
0.9786
0.9750
0.9717
Angle
Magnitude
Angle
(deg)
176.89
171.63
163.14
154.74
146.34
138.13
129.99
121.93
114.01
106.18
98.51
Angle
(deg)
89.71
92.19
88.94
87.64
86.52
85.29
84.60
83.78
82.86
81.97
80.62
Angle
(deg)
0.98
2.79
5.62
8.42
11.21
14.01
16.81
19.64
22.44
25.22
28.10
Table 12.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 18 mA; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Noise data for amplifier B
Γ
opt
(ratio)
0.76
0.71
r
n
(ratio)
(deg)
22.58
47.34
400
800
0.91
1.24
0.690
0.620
Fig 24. Cross modulation test setup (for one MOSFET)
001aad926
R1
10 k
RL
L1
≈
2.2
μ
H
RGEN
VI
R2
50
RG1
C1
4.7 nF
C2
4.7 nF
C3
4.7 nF
C4
4.7 nF
V
AGC
V
GG
DUT
V
DS
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