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参数资料
| 型号： | BF1218 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
| 文件页数： | 17/23页 |
| 文件大小： | 672K |
| 代理商： | BF1218 |
BF1218_1
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 14 April 2010
17 of 23
NXP Semiconductors
BF1218
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.2.2
Scattering parameters for amplifier B
8.2.3
Noise data for amplifier B
Table 13.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 15 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values;
unless otherwise specified.
f (MHz)
NF
min
(dB)
opt
(ratio)
400
1.1
0.72
800
1.4
0.68
Table 12.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 15 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(degree)
(ratio)
40
0.9841
4.20
2.9772
100
0.9799
7.68
2.9694
200
0.9775
15.24
2.9472
300
0.9706
22.70
2.9147
400
0.9632
30.08
2.8754
500
0.9515
37.46
2.8213
600
0.9377
44.80
2.7560
700
0.9229
52.10
2.6865
800
0.9062
59.33
2.6119
900
0.8864
66.35
2.5318
1000
0.8650
73.21
2.4437
Scattering parameters for amplifier B
s
12
Magnitude
(ratio)
0.0005
0.0011
0.0023
0.0034
0.0046
0.0056
0.0065
0.0075
0.0084
0.0091
0.0098
s
22
Magnitude
(ratio)
0.9923
0.9927
0.9914
0.9902
0.9888
0.9870
0.9839
0.9810
0.9777
0.9754
0.9714
Angle
Magnitude
Angle
(degree)
175.44
171.40
162.86
154.41
146.10
137.77
129.44
121.24
113.09
105.04
97.11
Angle
(degree)
106.03
88.52
87.60
85.98
85.09
84.03
83.30
82.99
82.08
81.36
80.34
Angle
(degree)
1.40
2.88
5.77
8.61
11.43
14.26
17.16
20.05
22.93
25.77
28.64
Noise data for amplifier B
r
n
(
)
(degree)
22.83
46.42
0.66
0.64
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BF-1218-31SV06-Y70 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
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| BF1225 | 功能描述:EMI/RFI 抑制器及铁氧体 EMI/RFI Suppressor Splt Fer Rnd Cbl Snp RoHS:否 制造商:Fair-Rite 产品:Ferrite Cores 阻抗:365 Ohms 容差: 最大直流电流: 最大直流电阻: 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 封装 / 箱体: 端接类型:SMD/SMT |
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