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参数资料
型号： BF245A,126
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 1/13页
文件大小： 286K
描述： JFET N-CH 30V 6.5MA SOT54
标准包装： 10,000
晶体管类型： N 通道 JFET
频率： 100MHz
电压 - 测试： 15V
额定电流： 6.5mA
噪音数据： 1.5dB
电压 - 额定： 30V
封装/外壳： TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装： TO-92-3
包装： 带盒（TB）
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1995
1996 Jul 30
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF245A; BF245B; BF245C
N-channel silicon field-effect
transistors
相关PDF资料
PDF描述
BF245B TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
BF256AG TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
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BLC6G22LS-75,112 FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
BXA-12379 INVERTER 12V TRIPLE OUTPUT CCFL
相关代理商/技术参数
参数描述
BF245B 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BF245B WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BF245B AMO 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B,112 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B,126 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
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