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参数资料
| 型号： | BF245A,126 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 描述： | JFET N-CH 30V 6.5MA SOT54 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 6.5mA |
| 噪音数据： | 1.5dB |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
1996 Jul 30
2
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B;
BF245C
FEATURES
?
Interchangeability of drain and source connections
?
Frequencies up to 700 MHz.
APPLICATIONS
?
LF, HF and DC amplifiers.
DESCRIPTION
General purpose N-channel symmetrical junction
field-effect transistors in a plastic TO-92 variant package.
PINNING
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package. The
gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
PIN SYMBOL DESCRIPTION
1 d drain
2 s source
3ggate
Fig.1 Simplified outline (TO-92 variant)
and symbol.
handbook, halfpage2
1
3
MAM257
s
d
g
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
VDS
drain-source voltage
???30 V
VGSoff
gate-source cut-off voltage ID
=10nA; VDS
=15V
?0.25
??8V
VGSO
gate-source voltage
open drain
???30 V
IDSS
drain current
VDS
=15V; VGS
=0
BF245A 2
?
6.5 mA
BF245B 6
?
15 mA
BF245C 12
?
25 mA
Ptot
total power dissipation
Tamb
=75?C
??300 mW
?yfs?
forward transfer admittance VDS
=15V; VGS
=0;
f=1kHz; Tamb
=25?C
3
?
6.5 mS
Crs
reverse transfer capacitance VDS
=20V; VGS
=
?1V;
f=1MHz; Tamb
=25?C
?
1.1
?
pF
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