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参数资料
| 型号： | BF245A,126 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 描述： | JFET N-CH 30V 6.5MA SOT54 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 6.5mA |
| 噪音数据： | 1.5dB |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
1996 Jul 30
8
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
Fig.16 Input capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
VDS
=20V; f=1MHz; Tamb
=25?C.
handbook, halfpage6
0
4
2
0
?2
?10
MGE777
?4
?6
?8
VGS
(V)
Cis
(pF)
typ
Fig.17 Reverse transfer capacitance as a function
of gate-source voltage; typical values.
VDS
=20V; f=1MHz; Tamb
=25?C.
handbook, halfpage1.5
0.5
0
?10
MGE781
1
Crs
(pF)
?2
?4
?6
?8
VGS
(V)
typ
Fig.18 Forward transfer admittance as a function of
drain current; typical values.
handbook, halfpage
8
6
0
0
MGE791
4
2
|yfs|
(mA/V)
ID
(mA)
20
10 15
5
BF245A
BF245B
BF245C
VDS
=15V; f=1kHz; Tamb
=25?C.
Fig.19 Gate-source cut-off voltage as a function of
drain current; typical values.
VDS
=15V; Tj
=25?C.
handbook, halfpage?10VGSoff
?0BF245A
01020
30
MGE784
?2
?4
?6
(V)?8
IDSS
at V
GS
= 0 (mA)
at ID
= 10 nA
BF245B
BF245C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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