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参数资料
| 型号： | BF245B |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 169K |
| 描述： | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 100mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | BF245BOS |
JFET VHF/UHF Amplifiers
N±Channel D Depletion
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain±Source Voltage
VDS
±30
Vdc
Drain±Gate Voltage
VDG
30
Vdc
Gate±Source Voltage
VGS
30
Vdc
Drain Current
ID
100
mAdc
Forward Gate Current
IG(f)
10
mAdc
Total Device Dissipation @ TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
350
2.8
mW
mW/°C
Storage Channel Temperature Range
Tstg
±65 to +150
°C
3 DRAIN
STYLE 22 STYLE 23
1 SOURCE
2
GATE
3 DRAIN
2 SOURCE
1
GATE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate±Source Breakdown Voltage
(IG
= 1.0
μAdc, VDS
= 0)
V(BR)GSS
30
D
D
Vdc
Gate±Source
(VDS
= 15 Vdc, I
D
= 200
μAdc) BF245(1)
BF245A, BF244A(2)
BF245B, BF244B
BF245C
VGS
0.4
0.4
1.6
3.2
D
D
D
D
7.5
2.2
3.8
7.5
Vdc
Gate±Source Cutoff Voltage
(VDS
= 15 Vdc, I
D
= 10 nAdc)
VGS(off)
±0.5
D
±8.0
Vdc
Gate Reverse Current
(VGS
= 20 Vdc, V
DS
= 0)
IGSS
D
D
5.0
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Zero±Gate±Voltage Drain Current
(VDS
= 15 Vdc, V
GS
= 0) BF245
(1)
BF245A, BF244A(2)
BF245B, BF244B
BF245C
IDSS
2.0
2.0
6.0
12
D
D
D
D
25
6.5
15
25
mAdc
1. On orders against the BF245, any or all subgroups might be shipped.
2. On orders against the BF244A, any or all subgroups might be shipped.
ON Semiconductor
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
June, 2001 ± Rev. 0
1
Publication Order Number:
BF245A/D
BF245A
BF245B
BF244A, BF244B
CASE 29±11, STYLE 22
TO±92 (TO±226AA)
1
2
3
BF245, BF245A,
BF245B, BF245C
CASE 29±11, STYLE 23
TO±92 (TO±226AA)
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| BF245B AMO | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
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