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参数资料
| 型号： | BF245B |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 169K |
| 描述： | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 100mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | BF245BOS |
BF245A BF245B
http://onsemi.com
3
Figure 5. S11s
Figure 6. S12s
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ID
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DSS
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Figure 7. S21s
Figure 8. S22s
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
S±PARAMETERS
(VDS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°C, Data Points in MHz)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF256AG | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| BF256C_J35Z | IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 |
| BLC6G22LS-75,112 | FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B |
| BXA-12379 | INVERTER 12V TRIPLE OUTPUT CCFL |
| BXA-12529/PS1 | INVERTER POTTED 850V CCFL LAMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245B WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BF245B AMO | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
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