- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录71 > BF245B (ON Semiconductor)TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BF245B |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 169K |
| 描述： | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 100mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | BF245BOS |
BF245A BF245B
http://onsemi.com
4
f, FREQUENCY (MHz)
0.2 0.00510
gig
@ I
DSS
f, FREQUENCY (MHz)
0.5
Figure 9. Input Admittance (yig) Figure 10. Reverse Transfer Admittance (yrg)
COMMON GATE CHARACTERISTICS
ADMITTANCE PARAMETERS
(VDG
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°C)
f, FREQUENCY (MHz) f, FREQUENCY (MHz)
Figure 11. Forward Transfer Admittance (yfg) Figure 12. Output Admittance (yog)
g
ig
, INPUT CONDUCTANCE (mmhos)
20
10
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
20 30 50 70 100 200 300
500 700
1000
b
ig
, INPUT SUSCEPTANCE (mmhos)
g
fg
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE (mmhos)
b
fg
, FORWARD SUSCEPTANCE (mmhos)
g
rg
, REVERSE TRANSADMITTANCE (mmhos)
b
rg
, REVERSE SUSCEPTANCE (mmhos)
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
g
og
, OUTPUT ADMITTANCE (mmhos)
b
og
, OUTPUT SUSCEPTANCE (mmhos)
0.3
0.01
0.1
0.2
10 20 30 50 70 100 200 300
500 700
1000
10 20 30 50 70 100 200 300
500 700
1000
0.01
10 20 30 50 70 100 200 300
0.02
0.03
0.3
500 700
1000
big
@ 0.25 I
DSS
big
@ I
DSS
grg
@ 0.25 I
DSS
gfg
@ I
DSS
gfg
@ 0.25 I
DSS
brg
@ 0.25 I
DSS
bog
@ I
DSS, 0.25 IDSS
gog
@ I
DSS
gog
@ 0.25 I
DSS
0.007
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.05
0.07
0.1
0.2
0.5
0.7
1.0
brg
@ I
DSS
0.25 IDSS
gig
@ I
DSS, 0.25 IDSS
bfg
@ I
DSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF256AG | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| BF256C_J35Z | IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 |
| BLC6G22LS-75,112 | FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B |
| BXA-12379 | INVERTER 12V TRIPLE OUTPUT CCFL |
| BXA-12529/PS1 | INVERTER POTTED 850V CCFL LAMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245B WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BF245B AMO | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。