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参数资料
| 型号： | BF245B |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 169K |
| 描述： | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 100mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | BF245BOS |
BF245A BF245B
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SMALL±SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance (VDS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
?Yfs?
3.0
D
6.5
mmhos
Output Admittance (VDS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
?Yos?
D
40
D
mhos
Forward Transfer Admittance (VDS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 200 MHz)
?Yfs?
D
5.6
D
mmhos
Reverse Transfer Admittance (VDS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 200 MHz)
?Yrs?
D
1.0
D
mmhos
Input Capacitance (VDS
= 20 Vdc, ±V
GS
= 1.0 Vdc)
Ciss
D
3.0
D
pF
Reverse Transfer Capacitance (VDS
= 20 Vdc, ±V
GS
= 1.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Crss
D
0.7
D
pF
Output Capacitance (VDS
= 20 Vdc, ±V
GS
= 1.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Coss
D
0.9
D
pF
Cut±off Frequency(3)
(VDS
= 15 Vdc, V
GS
= 0)
F(Yfs)
D
700
D
MHz
3. The frequency at which gfs
is 0.7 of its value at 1 kHz.
f, FREQUENCY (MHz)
30
0.3
10
bis
@ I
DSS
f, FREQUENCY (MHz)
5.0
Figure 1. Input Admittance (yis) Figure 2. Reverse Transfer Admittance (yrs)
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
ADMITTANCE PARAMETERS
(VDS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°C)
f, FREQUENCY (MHz)
20
f, FREQUENCY (MHz)
10
Figure 3. Forward Transadmittance (yfs) Figure 4. Output Admittance (yos)
g
is
, INPUT CONDUCTANCE (mmhos)
20
10
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
20 30 50 70 100 200 300
500 700
1000
b
is
, INPUT SUSCEPTANCE (mmhos)
g
fs
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE (mmhos)
|b
fs
|, FORWARD SUSCEPTANCE (mmhos)
g
rs
, REVERSE TRANSADMITTANCE (mmhos)
b
rs
, REVERSE SUSCEPTANCE (mmhos)
0.2
10 20 30 50 70 100 200 300
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
g
os
, OUTPUT ADMITTANCE (mhos)
b
os
, OUTPUT SUSCEPTANCE (mhos)
3.0
0.05
10 20 30 50 70 100 200 300
0.07
0.1
0.2
0.3
0.7
0.5
1.0
2.0
500 700
1000
500 700
1000
0.01
10 20 30 50 70 100 200 300
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
500 7001000
bis
@ 0.25 I
DSS
gis
@ I
DSS
gis
@ 0.25 I
DSS
brs
@ I
DSS
0.25 IDSS
grs
@ I
DSS, 0.25 IDSS
gfs
@ I
DSS
|bfs| @ IDSS
|bfs| @ 0.25 IDSS
bos
@ I
DSS
and 0.25 I
DSS
gos
@ I
DSS
gos
@ 0.25 I
DSS
gfs
@ 0.25 I
DSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245B WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BF245B AMO | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
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