参数资料
型号: BF245B
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 169K
描述: TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
产品变化通告: Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装: 1,000
晶体管类型: N 通道 JFET
额定电流: 100mA
电压 - 额定: 30V
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 散装
其它名称: BF245BOS
BF245A BF245B
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 29±11
ISSUE AL
TO±92 (TO±226)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
R
A
P
J
L
B
K
G
H
SECTION X±X
C
V
D
N
N
XX
SEATINGPLANE
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.175 0.205 4.45 5.20
B
0.170 0.210 4.32 5.33
C
0.125 0.165 3.18 4.19
D
0.016 0.021 0.407 0.533
G
0.045 0.055 1.15 1.39
H
0.095 0.105 2.42 2.66
J
0.015 0.020 0.39 0.50
K
0.500 --- 12.70 ---
L
0.250 --- 6.35 ---
N
0.080 0.105 2.04 2.66
P
--- 0.100 --- 2.54
R
0.115 --- 2.93 ---
V
0.135 --- 3.43 ---
1
STYLE 22:
PIN 1. SOURCE
2. GATE
3. DRAIN
STYLE 23:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
相关PDF资料
PDF描述
BF256AG TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
BF256C_J35Z IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92
BLC6G22LS-75,112 FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
BXA-12379 INVERTER 12V TRIPLE OUTPUT CCFL
BXA-12529/PS1 INVERTER POTTED 850V CCFL LAMP
相关代理商/技术参数
参数描述
BF245B WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BF245B AMO 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B,112 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B,126 功能描述:射频JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92