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参数资料
| 型号： | BR24L08FVJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 18/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 100KHZ TSSOP-B8J |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
Technical Note
● I 2 C BUS input / output circuit
○ Input (A0,A2,SCL)
Fig.57 Input pin circuit diagram
○ Input / output (SDA)
Fig.58 Input / output pin circuit diagram
○ Input (A1, WP)
Fig.59 Input pin circuit diagram
● Notes on power ON
At power on, in IC internal circuit and set, Vcc rises through unstable low voltage area, and IC inside is not completely reset,
and malfunction may occur. To prevent this, functions of POR circuit and LVCC circuit are equipped. To assure the action,
observe the following conditions at power on.
1. Set SDA = 'H' and SCL ='L' or 'H'
2. Start power source so as to satisfy the recommended conditions of t R , t OFF , and Vbot for operating POR circuit.
t R
V CC
Recommended conditions of t R , t OFF ,V bot
t R
10ms or below
t OFF
10ms or longer
V bot
0.3V or below
t OFF
Vbot
100ms or below
10ms or longer
0.2V or below
0
Fig.60 Rise waveform diagram
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR24L04NUX-WTR | IC EEPROM 4KBIT 100KHZ VSON8 |
| BR24S08F-WE2 | IC EEPROM 8KBIT 100KHZ SOP8 |
| AGM40DTMD-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| AYM40DTBN-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| ASM40DTBN-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR24L08FVJ-WTR | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Series EEPROMs I2C BUS |
| BR24L08FVM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR24L08FVM-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1024】8 bit electrically erasable PROM |
| BR24L08FVM-WE2 | 功能描述:IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8MSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| BR24L08FVM-WTR | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 1024X8 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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