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参数资料
| 型号： | BR24L08FVJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 22/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 100KHZ TSSOP-B8J |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
● Action timing characteristics
(Unless otherwise specified, T=-40 ～ +85 ℃ , Vcc=1.7 ～ 5.5V)
Technical Note
Parameter
SCL Frequency
Data clock "High" time
Data clock "Low" time
Symbol
fSCL
tHIGH
tLOW
Min.
-
0.6
1.2
Limits
Typ.
-
-
-
Max.
400
-
-
Unit
kHz
μ s
μ s
SDA, SCL rise time
SDA, SCL fall time
*1
*1
tR
tF
-
-
-
-
0.3
0.3
μ s
μ s
Start condition hold time
Start condition setup time
Input data hold time
Input data setup time
Output data delay time
Output data hold time
Stop condition data setup time
Bus release time before transfer start
Internal write cycle time
Noise removal valid period (SDA,SCL terminal)
WP hold time
WP setup time
WP valid time
tHD:STA
tSU:STA
tHD:DAT
tSU:DAT
tPD
tDH
tSU:STO
tBUF
tWR
tI
tHD:WP
tSU:WP
tHIGH:WP
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
-
-
0
0.1
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
-
-
-
5
0.1
-
-
-
μ s
μ s
ns
ns
μ s
μ s
μ s
μ s
ms
μ s
ns
μ s
μ s
*1 : Not 100% TESTED
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR24L04NUX-WTR | IC EEPROM 4KBIT 100KHZ VSON8 |
| BR24S08F-WE2 | IC EEPROM 8KBIT 100KHZ SOP8 |
| AGM40DTMD-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| AYM40DTBN-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| ASM40DTBN-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR24L08FVJ-WTR | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Series EEPROMs I2C BUS |
| BR24L08FVM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR24L08FVM-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1024】8 bit electrically erasable PROM |
| BR24L08FVM-WE2 | 功能描述:IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8MSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| BR24L08FVM-WTR | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 1024X8 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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