参数资料
型号: BSM150GXL120DN2
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-39
文件页数: 5/9页
文件大小: 225K
代理商: BSM150GXL120DN2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
BSM 150 GXL 120 DN2
I C
[A
]
VGE [V]
I F
[A
]
VF [V]
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Tj = 25°C
Tj = 125°C
bertragungscharakteristik (typisch)
IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20V
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch)
IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8)
Datenblatt_BSM150GXL120DN2.xls
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PDF描述
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