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参数资料
| 型号： | BSS84V-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS84V-7CT |
BSS84V
250
200
150
-1.4
-1.2
-1.0
125
-0.8
100
-0.6
75
50
25
-0.4
-0.2
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
-1
0
0
3.0
2.5
-0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4 -4.5 -5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Output Characteristics
-0.1
-0.01
V DS = -10V
2.0
1.5
1.0
0.5
-0.001
0
-1 -2 -3 -4
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Typical Transfer Characteristics
-5
0
-0.001
-0.01 -0.1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance
-1
vs. Drain Current
8
7
6
5
4
3
2
1
-1
-0.1
-0.01
0
0
-2 -4 -6 -8
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
-10
-0.001
0
-0.5 -1.0 -1.5
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 6 Reverse Drain Current vs.
Body Diode Forward Voltage
BSS84V
Document number: DS30605 Rev. 9 - 2
3 of 5
www.diodes.com
February 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84W-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 |
| BVSS123LT1G | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 |
| BVSS138LT1G | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 |
| BXC-10546 | ASSY INPUT FOR BXA-12563 |
| BXC-10549 | ASSEMBLY INPUT CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS84V-7-01 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| BSS84W | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:P-Channel POWER MOSFET |
| BSS84W _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BSS84W_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BSS84W_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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