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参数资料
| 型号： | BSS84V-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS84V-7CT |
BSS84V
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT563
Dim
Min
Max Typ
B
C
A
B
C
0.15
1.10
1.55
0.30 0.20
1.25 1.20
1.70 1.60
G
D
D
G
H
K
L
-
0.90
1.50
0.55
0.10
- 0.50
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
0.30 0.20
K
H
L
M
M 0.10 0.18 0.11
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.2
1.2
Z
G
C1
X
Y
0.375
0.5
C1
1.7
Y
X
C2
0.5
BSS84V
Document number: DS30605 Rev. 9 - 2
4 of 5
www.diodes.com
February 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84W-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 |
| BVSS123LT1G | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 |
| BVSS138LT1G | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 |
| BXC-10546 | ASSY INPUT FOR BXA-12563 |
| BXC-10549 | ASSEMBLY INPUT CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS84V-7-01 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| BSS84W | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:P-Channel POWER MOSFET |
| BSS84W _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BSS84W_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BSS84W_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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