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参数资料
| 型号： | BST80 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BST80 |
1997 Jun 20
10
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST80
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST84 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BST86 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSV17-16 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-205AD |
| BSV17 | Small Signal Transistors |
| BSX19 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BST80T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-89 |
| BST82 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin TO-236AB Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 0.19A TO236AB |
| BST82 /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCH-100 -TAPE 13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST82 T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST82,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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