- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录373028 > BST80 (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BST80 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BST80 |
1997 Jun 20
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST80
Fig.2 Switching times test circuit.
handbook, halfpage
MSA631
50
DD
ID
10 V
0 V
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB692
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
200
0
0.4
0.8
MLC697
Tamb
o
50
100
150
Ptot
(W)
Fig.5
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
80
40
0
C
(pF)
VDS (V)
10
20
30
MDA176
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST84 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BST86 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSV17-16 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-205AD |
| BSV17 | Small Signal Transistors |
| BSX19 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BST80T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-89 |
| BST82 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin TO-236AB Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 0.19A TO236AB |
| BST82 /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCH-100 -TAPE 13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST82 T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST82,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。