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参数资料
| 型号： | BST80 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BST80 |
1997 Jun 20
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST80
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT89
97-02-28
w
M
e
1
e
E
HE
B
0
2
4 mm
scale
b3
b2
b1
c
D
L
A
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 3 leads
drain pad for good heat transfer; 3 leads
SOT89
1
2
3
UNIT
A
mm
1.6
1.4
0.48
0.35
c
0.44
0.37
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
HE
4.25
3.75
e
3.0
w
0.13
e1
1.5
L
min.
0.8
b2
b1
0.53
0.40
b3
1.8
1.4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BST82,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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