型号: | BU2506DF |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | Silicon Diffused Power Transistor |
中文描述: | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, FULL PACK-3 |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 66K |
代理商: | BU2506DF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BU2506 | Silicon Diffused Power Transistor |
BU2506DX | Silicon Diffused Power Transistor |
BU2507AX | Silicon Diffused Power Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BU2506DFLB | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
BU2506DX | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
BU2506-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
BU2506-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
BU2506-E3-51 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced isoCinka?¢ Bridge Rectifiers |