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参数资料
| 型号： | BU2506DF |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | BU2506DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2506DF
Fig.12. Forward bias safe operating area. T
hs
= 25C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of
the envelope.
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
hs
= 25C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted without heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of
the envelope.
1
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I
tp =
10 us
100 us
1 ms
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DC
IC / A
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= 0.01
II
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1 ms
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DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
II
= 0.01
Ptot max
September 1997
5
Rev 1.400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2506 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2506DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DX | Silicon Diffused Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU2506DFLB | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| BU2506DX | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2506-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| BU2506-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| BU2506-E3-51 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced isoCinka?￠ Bridge Rectifiers |
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