型号: | BU2508DX |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | Silicon Diffused Power Transistor |
中文描述: | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, FULL PACK-3 |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | BU2508DX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
BU2508D | Silicon Diffused Power Transistor |
BU2515AF | Silicon Diffused Power Transistor |
BU2515AX | Silicon Diffused Power Transistor |
BU2515DF | Silicon Diffused Power Transistor |
BU2515DX | POWERLINE: RP15-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 15 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 82% |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BU2508DX PHILIPS | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Bu2508Dx 1500V 8A 45W Bce Transistor SOT-93 Power NPN |
BU2508DX/B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLT SOT-399 |
BU2508-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced isoCink Bridge Rectifiers |
BU2508-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
BU2508-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |