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参数资料
| 型号： | BU2508DX |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BU2508DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508DX
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.9. Typical turn-off losses.T
= 85C
Eoff = f (I
B
); parameter I
C
; f = 16 kHz
Fig.10. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.11. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 16 kHz
Fig.12. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
0
1
2
3
4
IB / A
VBESAT / V
BU2508DF
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=
6A
4.5A
3A
2A
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
BU2508AX
tp / sec
Zth K/W
1.0E-06
1E-04
1E-02
1E+00
D =
tp
tp
T
T
P
D
t
0.1
1
10
IB / A
VCESAT / V
BU2508DF
10
1
0.1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=2A
3A
4.5A
6A
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
BU2508DF
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IC =
4.5A
3.5A
ts
tf
0.1
1
10
IB / A
Eoff / uJ
BU2508DF
1000
100
10
IC = 4.5A
3.5A
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
July 1998
4
Rev 2.500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2508D | Silicon Diffused Power Transistor |
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参数描述 |
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