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参数资料
| 型号： | BU2508DX |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BU2508DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508DX
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5.88 g
Fig.15. SOT399; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
4.5
16.0 max
0.7
10.0
5.1
27
max
18.1
min
4.5
2.2 max
1.1
0.4 M
5.45
5.45
25
25.1
25.7
3.0
5.8 max
3.3
0.95 max
2
3.3
22.5
max
July 1998
6
Rev 2.500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2508D | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2515AF | Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2515DF | Silicon Diffused Power Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BU2508-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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