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参数资料
型号： BU9832GUL-WE2
厂商： Rohm Semiconductor
文件页数： 2/29页
文件大小： 0K
描述： IC EEPROM 8KBIT SPI VCSP50L2 TR
标准包装： 3,000
格式 - 存储器： EEPROMs - 串行
存储器类型： EEPROM
存储容量： 8K (1K x 8)
速度： 5MHz
接口： SPI 串行
电源电压： 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 8-VFBGA，CSPBGA
供应商设备封装： VCSP50L2
包装： 带卷 (TR)
BU9832GUL-W (8Kbit)
● Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Datasheet
Parameter
Impressed voltage
Permissible dissipation
Storage Temperature range
Operating Temperature range
Terminal voltage
Symbol
Vcc
Pd
Tstg
Topr
―
Ratings
-0.3 to +6.5
220(VCSP50L2)
-65 to +125
-40 to +85
-0.3 to Vcc+0.3
Unit
V
mW
℃
℃
V
Remarks
When using at Ta=25 ℃ or higher, 220mW to be reduced per 1 ℃
● Memory cell characteristics (Ta=25 ℃ , Vcc=1.8V to 5.5V)
Parameter
Limits
Min. Typ. Max
Unit
Number of data rewrite times
Data hold years
*1
*1
1,000,000
40
–
–
–
–
Times
Years
*1 Not 100% TESTED
● Recommended Operating Ratings
Parameter Symbol
Ratings
Unit
Power source voltage
Input voltage
Vcc
V IN
1.8 to 5.5
0 to Vcc
V
● Input / output capacity (Ta=25 ℃ , frequency=5MHz)
Parameter Symbol
Limits
Min. Max
Unit
Conditions
Input capacity
Output capacity
*1
*1
C IN
C OUT
–
–
8
8
pF
pF
V IN =GND
V OUT =GND
*1 : Not 100% TESTED
● Electrical characteristics
(Unless otherwise specified, Ta=-40 ℃ to +85 ℃ , Vcc=1.8V to 5.5V)
Parameter
Symbol
Limits
Min. Typ. Max.
Unit Conditions
“H” input voltage 1
“L” input voltage 1
“L” output voltage 1
“L” output voltage 2
“H” output voltage 1
“H” output voltage 2
Input leak current
Output leak current
VIH1
VIL1
VOL1
VOL2
VOH1
VOH2
ILI
ILO
0.7xVcc
-0.3
0
0
Vcc-0.5
Vcc-0.2
-1
-1
–
–
–
–
–
–
–
–
Vcc+0.3
0.3xVcc
0.4
0.2
Vcc
Vcc
1
1
V
V
V
V
V
V
μA
μA
1.8 ≦ Vcc ≦ 5.5V
1.8 ≦ Vcc ≦ 5.5V
IOL=2.1mA(Vcc=2.5V to 5.5V)
IOL=150μA(Vcc=1.8V to 2.5V)
IOH=-0.4mA(Vcc=2.5V to 5.5V)
IOH=-100μA(Vcc=1.8V to 2.5V)
V IN =0 to Vcc
V OUT =0 to Vcc, CS =Vcc
Vcc=1.8V, fSCK=2MHz, tE/W=5ms
ICC1
–
–
1.0
mA
Byte write, Page write, Write status
register
Current consumption
at write action
ICC2
–
–
2.0
mA
Vcc=2.5V, fSCK=5MHz, tE/W=5ms
Byte write, Page write, Write status
register
Vcc=5.5V, fSCK=5MHz, tE/W=5ms
ICC3
–
–
3.0
mA
Byte write, Page write, Write status
register
Current consumption
at read action
Standby current
ICC4
ICC5
ISB
–
–
–
–
–
–
1.5
2.0
2
mA
mA
μA
Vcc=2.5V, fSCK=5MHz
Read, Read status register
Vcc=5.5V,fSCK=5MHz
Read, Read status register
Vcc=5.5V, CS=HOLD=WP=V CC
SCK=SI=Vcc or=GND,SO=OPEN
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
2/26
TSZ02201-0R2R0G100410-1-2
30.AUG.2012 Rev.001
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