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参数资料
| 型号： | BYQ30E-200,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE RECT 200V 16A SOT78 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 16A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 16A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BYQ30E, BYQ30EB, BYQ30ED series
ultrafast, rugged
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VC
Electrostatic discharge Human body model; - 8 kV
capacitor voltage C = 250 pF; R = 1.5 kΩ
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Rth j-mb
Thermal resistance junction per diode - - 3 K/W
to mounting base both diodes - - 2.5 K/W
Thermal resistance junction SOT78 package, in free air - 60 - K/W
to ambient SOT404 and SOT428 packages, pcb - 50 - K/W
mounted, minimum footprint, FR4 board
Rth j-a
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
All characteristics are per diode at Tj
= 25 ?C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
VF
Forward voltage IF
= 8 A; T
j
= 150?C - 0.84 0.95 V
IF
= 16 A; T
j
= 150?C - 1 1.15 V
IF
= 16 A - 1.12 1.25 V
Reverse current VR
= V
RWM
-430μA
VR
= V
RWM; Tj
= 100?C - 0.3 0.6 mA
Reverse recovered charge I
= 2 A; V
≥
30 V; -dI
/dt = 20 A/μs-411nC
Reverse recovery time IF
R
F
F
= 1 A; V
R
≥
30 V; -dI
F/dt = 100 A/μs2025ns
Reverse recovery time IF
= 0.5 A to I
R
= 1 A; I
rec
= 0.25 A - 12 22 ns
Forward recovery voltage IF
= 1 A; dI
F/dt = 10 A/μs-1-V
IR
Q
t
rr
trr1
Vrr2fr
October 1998 2 Rev 1.200
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PDF描述 |
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