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参数资料
| 型号： | BYQ30E-200,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE RECT 200V 16A SOT78 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 16A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 16A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BYQ30E, BYQ30EB, BYQ30ED series
ultrafast, rugged
Fig.1. Definition of trr1, Qs
and I
rrm
Fig.2. Definition of Vfr
Fig.3. Maximum forward dissipation PF
= f(I
F(AV)) per
diode; square current waveform where
IF(AV)
=I
F(RMS)
x
√D.
Fig.4. Circuit schematic for trr2
Fig.5. Definition of trr2
Fig.6. Maximum forward dissipation PF
= f(I
F(AV)) per
diode; sinusoidal current waveform where a = form
factor = IF(RMS)
/ I
F(AV).
Q
s
100%
10%
time
dI
F
dt
IR
I
F
Irrm
trr
shunt
Current
to 'scope
D.U.T.
Voltage Pulse Source
R
time
time
V
F
V
fr
V
F
I
F
I = 1AR
I = 0.25Arec
0A
trr2
0.5A
IF
IR
0
150
024681012
2
4
6
8
Rs = 0.025 Ohms10
12
Forward dissipation, PF (W)
Vo = 0.75 V
0.5
0.2
0.1
BYQ30
Average forward current, IF(AV) (A)
Tmb(max) / C
D = 1.0
114
144
138
132
126
120
D = tpT
tp
T
t
I
0
150012345678
2
4
6
8
10
Rs 0.025 Ohms
12
Forward dissipation, PF (W)
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
BYQ30
Vo = 0.75 V
Average forward current, IF(AV) (A)
Tmb(max) / C114
144
138
132
126
120
October 1998 3 Rev 1.200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYT28F-400HE3/45 | DIODE DUAL 10A 400V TO-263AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BYQ30EBSERIES | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast. rugged |
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