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参数资料
| 型号： | BYQ30E-200,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE RECT 200V 16A SOT78 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 16A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 16A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BYQ30E, BYQ30EB, BYQ30ED series
ultrafast, rugged
Fig.7. Maximum trr
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.8. Maximum Irrm
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF
= f(V
F); parameter Tj
Fig.10. Maximum Qs
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.11. Transient thermal impedance; per diode;
Zth j-mb
= f(t
p).
1
1 10 100
10
trr / ns
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
10
1.01.0 10 100
-dIF/dt (A/us)
100
Qs / nC
IF=10A
2A5A1A
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10 100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
T
t
0.0011us 10us 100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
0.01
0.1
1
10
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
BYQ30E
pulse width, tp (s)
D =
tp
T
tp
PD
0
0 0.5 1 1.5 2
5
10
15
20
Forward current, IF (A)
BYQ30
Forward voltage, VF (V)
typ
max
Tj = 25 C
Tj = 150 C
October 1998 4 Rev 1.200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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