电子拆机_电子拆机批发价格_电子拆机代理/供应商

- 快恢复二极管5THZ52.5TUZ52
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:5THZ52 | 沟道类型:其他 | 用途:. | 材料:硅(Si) | 备注:. | 产品类型:快恢复二极管 | 是否进口:是 | 主要参数:.
- ≥500 PCS
  
  ￥0.01
- 询价
- 恒信通电子商行进口 2SD2454 D2454
  
  应用范围:放大 | 品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:D2454 | 类型:其他IC | 批号:拆机 | 用途:电视机 | 封装:TO-3P
- ≥1 PCS
  
  ￥0.80
- 询价
- 2SK1745 K1745 东芝场效应管二手电子元器件
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK1745 K1745 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-HBM/半桥组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
  
  相产产品：二手元器件电子元器件
- ≥1 个
  
  ￥1.10
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- 供三极管A1302
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:A1302 | 沟道类型:其他 | 用途:# | 材料:硅(Si) | 备注:# | 产品类型:功率二极管 | 是否进口:是 | 主要参数:# | 加工定制:是
- ≥500 PCS
  
  ￥3.50
- 询价
- 东芝场效应管K2611,2SK2611
  
  种类:场效应管 | 品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK2611
  
  相产产品：拆机电子元器件 k2611场效应管东芝场效应管
- ≥100 PCS
  
  ￥0.10
- 询价
- 原字GT60N321 电磁炉功率开关管电磁炉IGBT管
  
  种类:场效应管 | 品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:GT60N321
- ≥50 PCS
  
  ￥6.00
- 询价
- 三极管B834
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:B834 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS铝镓砷
- 1000-9999 个
  
  ￥0.17
- ≥10000 个
  
  ￥0.16
- 询价
- K1120 场效应管 mos 沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K1120 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 150W:TO-3P | 8A:1000V
  
  相产产品： mos场效应管 mos拆机
- 1-4 个
  
  ￥4.50
- 5-9 个
  
  ￥3.80
- ≥10 个
  
  ￥3.50
- 询价
- K1350 场效应管 mos 沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K1350 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 15A:200V | 45W:TO-220
  
  相产产品： mos场效应管 mos拆机
- ≥10 个
  
  ￥1.50
- 询价
- 2.50K2996 场效应管 mos 沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2996 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 10A:600V
  
  相产产品： mos场效应管 mos拆机
- ≥10 个
  
  ￥2.50
- 询价
- K2761 场效应管 mos 沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2761 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 10A:600V
  
  相产产品： mos场效应管 mos拆机
- ≥10 个
  
  ￥2.50
- 询价
- K3067 场效应管 mos 沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K3067 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 3A:600V
  
  相产产品： mos场效应管 mos拆机
- ≥20 个
  
  ￥2.00
- 询价
- K3568 场效应管 mos 液晶电视用沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K3568 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 12A:500V
  
  相产产品： mos场效应管
- 20-19 个
  
  ￥2.38
- ≥20 个
  
  ￥2.50
- 询价
- K2847 mos 场效应管焊机用沈阳先科电子
  
  品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2847 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 8A:900V
  
  相产产品： mos场效应管
- 20-49 个
  
  ￥3.14
- 50-19 个
  
  ￥2.66
- 20-49 个
  
  ￥3.30
- 询价
- 新源兴电子 2SD2012 D2012 进口枕校三极管
  
  应用范围:功率 | 品牌:Toshiba/东芝 | 型号:2SD2012 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型
  
  相产产品：测试三极管 d2012三极管
- 100-999 个
  
  ￥0.25
- 1000-4999 个
  
  ￥0.23
- ≥5000 个
  
  ￥0.22
- 询价
- 专供三极管K1351
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K1351 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:*大功率 | 击穿电压VCBO:大功率 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:大功率 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:*大功率 | 结构:点接触型 | 封装材料:塑料封装 | 应用范围:功率
- ≥1000 PCS
  
  ￥0.50
- 询价
- 专供三极管K2611 K1120 K1358
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K2611 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:* | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:9 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:* | 结构:点接触型 | 封装材料:金属封装 | 加工定制:是 | 击穿电压VCEO:900 | 应用范围:功率
- 50-499 PCS
  
  ￥2.60
- 500-4999 PCS
  
  ￥2.00
- ≥5000 PCS
  
  ￥1.80
- 询价
- K2717 2SK2717 进口 MOS场效应管[新源兴电子]
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K2717 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道
  
  相产产品： mos场效应管 mos拆机
- ≥10 个
  
  ￥0.40
- 询价
- 专供三极管.K2543,K2545.K2662.K2843
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K2543 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:* | 击穿电压VCBO:500 | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:10 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:* | 结构:点接触型 | 封装材料:塑料封装 | 应用范围:功率
- 500-999 PCS
  
  ￥0.65
- ≥1000 PCS
  
  ￥0.60
- 询价
- 专供三极管K1117
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K1117 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 集电极最大耗散功率PCM:- | 封装形式:直插型 | 集电极最大允许电流ICM:6 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:- | 结构:合金型 | 封装材料:金属封装 | 加工定制:是 | 应用范围:功率
- ≥1000 PCS
  
  ￥0.70
- 询价