品牌:HARRIS/哈里斯 | 型号:G12N60C3D G12N60B3D | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥0.90
品牌:HARRIS/哈里斯 | 型号:G20N60C3D | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.20
品牌:HARRIS/哈里斯 | 型号:G40N60C3D 40N60C3D | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.00
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型号:FS10SM18A FS10SM-18A | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.10
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型号:FS20SM12 FS20SM-12 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.80
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型号:FS70SM06 FS70SM-06 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.00
品牌:IR.ST | 型号:IRFS640 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:P-FET硅P沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥300 个
¥0.35
品牌:进口 | 型号:G23N60UF | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.00
品牌:SAK日本三肯 | 型号:K1181 2SK1181 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥0.70
品牌:进口 | 型号:MTW20N50E | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.50
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFI9630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:GEP/互补类型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 属性:ID=-4.3A VDS=-200V PNP/GDS PD=35W
≥10 个
¥0.15
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740.IRF730 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:MES金属半导体 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥100 个
¥0.80
品牌:进口 | 型号:20N50.20N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 跨导:. | 最大漏极电流:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 个
¥1.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:11N80 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:AM/调幅 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥100 千克
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:4N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥500 个
¥0.36
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRFP250B IRFP250A | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥0.30
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:SGH40N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:NF/音频(低频) | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.00
品牌:进口 | 型号:GT25J101 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 营销方式:拆机 | 最低起批量:1PC
≥1 个
¥1.50
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SJ329 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 材料:P-FET硅P沟道
≥100 个
¥0.50
品牌:进口 | 型号:KBP307 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:AM/调幅 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P沟道
≥1200 个
¥0.20