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参数资料
| 型号： | CMBT2222A-T |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | CMBT2222A-T |
max 40
V
Collector current (d.c.)
IC
max 600
mA
IC = 150mA; VCE = 10V
>
40
hFE
Collector-emmitter voltage (open base)
VCEO
max 40
V
Collector-base voltage (open emitter)
VCBO
max 75
V
Emmitter base voltage (open collector)
Collector-base voltage (open emitter)
VCBO
max 75
Transition frequency at f = 100MHZ
fT
>
300
100 to 300
mW
Tamb = 25
oC
Collector current (d.c.)
IC
max 600
mA
Total power dissipation up to
Ptot
max 250
MHZ
IC = 20mA; VCE = 20V
Symbol
Value
UNIT
VEBO
max 6.0
V
IC = 500mA; VCE = 10V
D.C. current gain
Collector-emitter voltage (open base)
VCEO
V
VEBO
max 6.0
V
Emitter-base voltage (open collector)
max 250
mW
Tj
max 150
oC
Storge Temperature
Tstg
-55 to +150
Total power dissipation up to
Tamb = 25
oC
Junction Temperature
Thermal Resistance
Rth j-a
K/W
from junction to Ambient
500
Ptot
oC
UNIT
Value
Symbol
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
CMBT2222A
Ratings (at TA = 25
oC unless otherwise specified)
Limmiting values
Unit: inch (mm)
Pin configuration:
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
www.rectron.com
1 of 3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CMBT2369 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2369-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2369T/-W | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2484 | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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