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参数资料
| 型号： | CMBT2222A-T |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | CMBT2222A-T |
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
CMBT2222A
Noise figure at RS = 1K ohm
F
<
4.0
dB
IC = 100uA; VCE = 10V; f= 1kHZ
pF
IE = 0; VCB = 10V
Input capacitance at f = 1 MHZ
Ci
<
25
pF
IE = 0; VEB = 0.5V
V
IC = 10mA; VCE = 10V; Tamb= -55
oC
IC = 0.1mA; VCE = 10V
IC = 1mA; VCE = 10V
hFE
>
35
>
50
>
75
>
35
100 to 300
D.C. current gain
IC = 150mA; VCE = 1V
IC = 500mA; VCE = 10V
>
40
>
50
Transition frequency at f = 100 MHZ
IC = 20mA; VCE = 20V
IC = 500mA; IB = 50 mA
<
1.0
<
2.0
VCEsat
VBEsat
Breakdown voltages
IC = 0; IE = 10uA
V
IC = 150mA; IB = 15 mA
VCEsat
<
300
mV
VBEsat
0.6 to 1.2
V
nA
Base current
IBEX
<
20
nA
with reverse biased emitter junction
VFB = 3V; VCE = 60V
Collector cut-off current
ICEX
<
10
IE = 0; VCB = 60V
ICBO
< 0.01
ICBO
IC = 150mA; VCE = 10V
fT
>
300
MHZ
uA
IE = 0; VCB = 60V; Tj = 125
oC
Emitter-base cut-off current
IEBO
<
10
nA
IC = 0; VEB = 3 V
VEB = 3 V; VCE = 60V
Symbol
IC = 1.0mA; IB = 0
IC = 100uA; IE = 0
V(BR)CEO
V(BR)CBO
IC = 10mA; VCE = 10V
Output capacitance at f = 1 MHZ
CO
<
8.0
Saturation voltage
<
10
Value
UNIT
V(BR)EBO
>
40
>
75
>
6.0
Characteristics (at Tj=25
oC unless otherwise specified)
www.rectron.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBT2907A-T | |
| CMBT8050 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| CMBT8050E | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMBT2222AT/-W | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2369 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2369-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2369T/-W | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT2484 | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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