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参数资料
型号： CMBT2222A-T
厂商： RECTRON LTD
元件分类： 小信号晶体管
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： SOT-23, 3 PIN
文件页数： 3/3页
文件大小： 75K
代理商： CMBT2222A-T
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
CMBT2222A
td
ns
tr
ts
tf
fall time
<
60
<
25
Turn-off time switched from IC= 150mA
storage time
<
225
Switching times
(between 10% and 90% levels)
Turn-on time switched to IC= 150mA
delay time
<
10
rise time
www.rectron.com
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PDF描述
CMBT2907A-T
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CMBT8050E NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
CMBT2222AT/-W 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369-T 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369T/-W 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2484 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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