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参数资料
| 型号： | CPC3703CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.36 A, 250 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | CPC3703CTR |
www.clare.com
DS-CPC3703-R03
1
CPC3703
N-Channel Depletion-Mode
Vertical DMOS FETs
RoHS
2002/95/EC
e3
Pb
Part #
Description
CPC3703C
SOT89 (100/Tube)
CPC3703CTR
SOT89 (2000/Reel)
BV
DSX/
BV
DGX
R
DS(ON)
(max)
I
DSS (min)
Package
250V
4
Ω
360mA
SOT-89
Applications
Features
Description
Ordering Information
Circuit Symbol
Ignition Modules
Normally-on Switches
Solid State Relays
Converters
Telecommunications
Power Supply
Depletion mode device offers low R
DS(ON) at cold
temperatures
Low on resistance 4 ohms max. at 25C
High input impedance
High breakdown voltage 250V
Low V
GS(off) voltage -1.6 to -3.9V
Small package size SOT89
The CPC3703 is an N-channel, depletion mode, field
effect transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary
third-generation vertical DMOS process. The
third-generation process realizes world class, high
voltage MOSFET performance in an economical
silicon gate process. Our vertical DMOS process
yields a robust device, with high input impedance,
for use in high-power applications. The CPC3703
is a highly reliable FET device that has been used
extensively in Clare’s Solid State Relays for industrial
and telecommunications applications.
This device excels in power applications that require
low drain-source resistance, particularly in cold
environments such as automotive ignition modules.
The CPC3703 offers a low, 4
Ω maximum, on-state
resistance at 25C.
The CPC3703 has a minimum breakdown voltage of
250V, and is available in an SOT89 package. As with
all MOS devices, the FET structure prevents thermal
runaway and thermal-induced secondary breakdown.
(SOT89)
G
D
S
D
S
G
Package Pinout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPC6826U | |
| CPC7508BTR | |
| CPC7508B | |
| CPC7581BC | |
| CPC7581BBTR | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC3703ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 |
| CPC3708ACTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC |
| CPC3708CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3708ZTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223 |
| CPC3710 | 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET |
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