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参数资料
| 型号： | CPC3703CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.36 A, 250 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | CPC3703CTR |
CPC3703
www.clare.com
3
R03
PERFORMANCE DATA*
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written specications, please
contact our application department.
Output Characteristics
(T
A=25C)
V
DS (V)
I D
(mA)
012345
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
6
V
GS=-1.0
V
GS=-2.5
V
GS=-2.0
V
GS=-1.5
Transfer Characteristics
(V
DS=5V)
V
GS (V)
I D
(mA)
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
350
300
250
200
150
100
50
0
+125C
-55C
+25C
V
GS(OFF) & RON Vs. Temperature
V
GS(OFF)
(V)
-50
-0
50
100
150
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
0
R
ON
8
7
6
5
4
3
2
1
V
GS(OFF)
V
DS=10V
I
D=1mA
V
GS=0V
I
D=200mA
R
ON
(Ω
)
Temperature (C)
Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
P
o
wer
Dissipation
(W)
020406080
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
120
140
Temperature (C)
Transconductance vs. Drain Current
(V
DS=10V)
I
D (mA)
0
10
203040
300
250
200
150
100
50
0
50
60
70
80
100
90
G
FS
(m
)
Ω
-55C
+125C
+25C
V
DS (V)
I D
(A)
0
10
100
1000
1.0
0.1
0.001
0.0001
Maximum Rated Safe Operating Area
at 25C
Capacitance vs. Drain Source Voltage
(V
GS=-5V)
V
DS (V)
Capacitance
(pF)
010203040
600
525
450
375
300
225
150
75
0
V
RSS
V
OSS
V
ISS
On-Resistance vs. Drain Current
(V
GS=0V)
I
D (A)
0
0.1 0.2 0.3 0.4
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
R
ON
(
Ω
)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC3703ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 |
| CPC3708ACTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC |
| CPC3708CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3708ZTR | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223 |
| CPC3710 | 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET |
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